粉塵中游離二氧化硅質(zhì)控樣品（焦磷酸法）_單標_基質(zhì)類_標準物質(zhì)_萘析商城

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粉塵中游離二氧化硅質(zhì)控樣品（焦磷酸法）

ZK040-1/ZK040-2/ZK040-3

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硅質(zhì)控樣品
GBQC(E)01-0049 | 4.5mg/L
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H17189-10g | SP
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粉塵中游離二氧化硅質(zhì)控樣品（焦磷酸法）介紹：

粉塵中游離二氧化硅質(zhì)控樣品（焦磷酸法）

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涉及標準及詳細解讀（GBZ/T 192.4-2007）

標準名稱：

GBZ/T 192.4-2007《工作場所空氣中粉塵測定第4部分：游離二氧化硅含量》

適用范圍

適用于工作場所空氣中粉塵（包括結(jié)晶型和無定型二氧化硅）游離二氧化硅含量的測定，焦磷酸法為主要檢測方法，適用于硅酸鹽及其他雜質(zhì)干擾的消除。

關(guān)聯(lián)內(nèi)容

方法原理：

粉塵樣品經(jīng)焦磷酸（300±5℃）高溫消解，硅酸鹽類物質(zhì)被溶解，游離二氧化硅因不溶而保留，通過重量法計算含量。

質(zhì)控要求：

? 空白試驗：每批次樣品需同步進行空白對照，消除試劑干擾

? 平行樣測試：同一樣品至少測定2次，相對偏差應≤5%

? 標準物質(zhì)驗證：使用已知濃度的二氧化硅標準物質(zhì)進行方法驗證

檢出限與測定范圍

檢出限：	0.1mg（以稱樣量10mg計，最低檢出濃度為1%）
測定范圍：	游離二氧化硅含量≥1%的粉塵樣品

質(zhì)控樣品處理關(guān)鍵點

樣品前處理：

粉塵需通過200目篩，確保顆粒均勻；高溫消解時需嚴格控制溫度（300±5℃）和時間（15-20分鐘）

干擾消除：

若樣品含碳化物（如煤塵），需先經(jīng)高溫灰化（800℃）后再用焦磷酸處理

結(jié)果計算：

游離二氧化硅含量計算公式 w = (m? - m?)/m × 100%
其中 m? 為殘渣質(zhì)量，m? 為空白質(zhì)量，m 為樣品質(zhì)量

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